Capteur rédox, Principe de mesure : ORP/rédox, Plage de mesure : -1.500…1500 mV, Capteur de température intégré : NTC 30, Électrode en verre à diaphragme en Téflon, Élément de mesure : tige en or, Interfaces : Memosens, Longueur de tige : 120 mm, Pression process : 0,8…17 bar, Température process : -15…135 °C, Indice de protection : IP68
Capteur rédox Endress+Hauser Memosens CPS12E-AA7GAA2
Contactez nous pour le prix
Description
Produits similaires
Barrières - cellules photoélectriques
Cellule photoélectrique à réflexion ifm electronic OGT500 – OGT-FPKG/US
Barrières - cellules photoélectriques
Barrage photoélectrique-récepteur ifm electronic OGE300 – OGE-DPKG/US
Barrières - cellules photoélectriques
Barrières - cellules photoélectriques
Cellule photoélectrique à réflexion Leuze HT25C/4P-M12 – 50134215
Barrières - cellules photoélectriques
Barrière photoélectrique à réflexion Leuze PRK46C/4P-M12 – 50127012
capteurs inductifs
Capteur inductif ifm electronic IFT200 – IFB3007-BPKG/M/V4A/US-104-DPS
Barrières - cellules photoélectriques
Barrière photoélectrique à réflexion Leuze PRK25C/4P-M12 – 50134279
Barrières - cellules photoélectriques
Cellule photoélectrique à réflexion ifm electronic O6H203 – O6H-FPKG/AS/4P

